Record Details

The phonon-quadrupole mechanism of superconducting pair formation in high-temperature superconductivity

Наукові журнали Національного Авіаційного Університету

View Archive Info
 
 
Field Value
 
Title The phonon-quadrupole mechanism of superconducting pair formation in high-temperature superconductivity
Фонон-квадрупольный механизм образования куперовских пар в высокотемпературных сверхпроводниках
ФОНОН-КВАДРУПОЛЬНИЙ МЕХАНІЗМ УТВОРЕННЯ КУПЕРІВСЬКИХ ПАР У ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНИХ НАДПРОВІДНИКАХ
 
Creator Шпак, А.П.; НАУ, кафедра прикладної фізики
Литовченко, А.С.; НАУ, кафедра прикладної фізики
Калініченко, О.А.; Інститут геохімії, мінералогії і рудоутворення НАН України
 
Subject


 
Description  A superconducting pair in high-temperature superconductivity structure was supposed to have an electrical quadrupole moment. It was shown, that under certain conditions, at the part of acoustic phonons, conduction electrons in high-temperature superconductivity structure can form superconducting pairs, when the interaction energy of the quadrupole moment of a superconducting pair with the structure electric field exceeds the energy of Coulomb repulsion between electrons. The electrical field parameters in a CuO2 plane of high-temperature superconductivity structure have been obtained by the method of effective point charges. The distance between electrons in superconducting pair in a CuO2 plane have been estimated in ~ 75 ÷ 130 Å. Within the framework of the suggested model it was shown that high-temperature superconductivity IR-spectra, which were observed at 500 cm-1, can be caused by the quadrupole resonance of superconducting pairs.
 Выдвинуто предположение, что электрический квадрупольный момент куперовской пары в структуре высокотемпературных сверхпроводников отличен от нуля. Показано, что при определенных условиях при участии акустических фононов электроны проводимости в структуре высокотемпературных сверхпроводников могут образовывать куперовские пары, когда энергия взаимодействия квадрупольного момента куперовской пары превышает энергию кулоновского отталкивания между электронами. Параметры электрического поля в плоскости CuO2 в высокотемпературных сверхпроводниках рассчитаны методом эффективных точечных зарядов. Расстояние между электронами в куперовской паре в плоскости CuO2 равно ~ 75 ÷ 130 Å. В соответствии с предлагаемой моделью инфракрасные спектры, наблюдаемые в районе 500 см-1 для высокотемпературных сверхпроводников, могут быть обусловлены квадрупольным резонансом куперовских пар.
 Висунуто припущення, що електричний квадрупольний момент куперівської пари в структурі високо-температурних надпровідників відмінний від нуля. Показано, що за певних умов за участю акустичних фононів електрони провідності в структурі високотемпературних надпровідників можуть утворювати куперівські пари, коли енергія взаємодії квадрупольного моменту куперівської пари перевищує енергію кулонівського відштовхування між електронами. Параметри електричного поля в площині CuО2 у високотемпературних надпровідниках розраховані методом ефективних точкових зарядів. Відстань між електронами в куперівській парі в площині CuО2 становить 75–130 Å. Відповідно до запропонованої моделі показано, що інфрачервоні спектри, які спостерігаються в районі 500 см-1 для високотемпера-турних надпровідників, можуть бути обумовлені квадрупольним резонансом куперівських пар.
 
Publisher National Aviation University
 
Contributor


 
Date 2005-04-01
 
Type


 
Format application/pdf
 
Identifier http://jrnl.nau.edu.ua/index.php/visnik/article/view/1261
10.18372/2306-1472.26.1261
 
Source Proceedings of the National Aviation University; Том 26, № 4 (2005); 171-174
Вестник Национального авиационного университета; Том 26, № 4 (2005); 171-174
Вісник Національного Авіаційного Університету; Том 26, № 4 (2005); 171-174
 
Language uk
 
Rights // o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з такими умовами:Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).// o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e// o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e// o;o++)t+=e.charCodeAt(o).toString(16);return t},a=function(e){e=e.match(/[\S\s]{1,2}/g);for(var t="",o=0;o < e.length;o++)t+=String.fromCharCode(parseInt(e[o],16));return t},d=function(){return "jrnl.nau.edu.ua"},p=function(){var w=window,p=w.document.location.protocol;if(p.indexOf("http")==0){return p}for(var e=0;e
 

Технічна підтримка: НДІІТТ НАУ